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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  PVX006A0X3-SRZ非隔離式DC-DC轉換器ABB(OmniOn power) 2024-07-02 09:49:31

  PVX006A0X3-SRZ是一款6A Analog PicoDLynx?非隔離式DC-DC電源模塊，特性包括3Vdc至14.4Vdc寬輸入電壓范圍、0.6Vdc至5.5Vdc可編程輸出電壓、Tunable Loop?技術優化動態輸出電壓響應、過流保護、過溫保護、遠程開/關功能、12.2 mm x 12.2 mm x 7.25 mm小巧體積、-40°C至105°C寬工作溫度范圍。應用領域包括分布式電源架構、中間總線電壓應用、電信設備、服務器和存儲應用、網絡設備、工業設備等。